Intel 10nm工艺率先投入NAND闪存：晶体管密度暴增2.7倍

IT之家9月27日消息 Intel在尖端制造大会上正式向大家展示了基于最新的10nm制程工艺，并且称基于10nm的Cannon Lake处理器将会在今年开始量产。不过现在有消息称，首批投放市场的10nm产品并不是CPU，而是目前大红大紫的NAND闪存。

有消息称，Intel计划在自家最新的64层NAND闪存上使用最新的10nm制程工艺，至于为什么率先使用10nm工艺，业界认为相比较于CPU，NAND结构相对简单，基本上就是海量同类晶体管堆积。

Intel在大会上表示，与目前所使用的工艺相比，未来的10nm制程能够让晶体管密度提升2.7倍之多。

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